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ZnO晶相位于晶粒體內，為低電阻率的半導體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜，有大量的導電電子存在，為n型半導體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達到峰值，約950℃時消失，

反應式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時大得多。

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壓敏電壓和電阻器厚度的關系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當晶粒大小一定時，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

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